The results show that the Fermi-energy decreases with increasing the degree of disorder,and the off-diagonal disorder has great effect on the Fermi-.
结果表明:无序体系的费米能随无序度的增大而减小,并且非对角无序对体系费米能的影响很大,考虑非对角无序时,体系的费米能大大降低;温度对体系费米能的影响表现为,随温度的升高,体系的费米能相应增大,且在低温区费米能随着温度的升高而增大比较缓慢,而在高温区费米能随着温度的升高而增大较快。
The one-dimensional normal metal mesoscopic ring, which was affected by dis-order in an inhomogeneous field, is studied, The conclusion that of f-diagonal decreased the amplitude of persistent currents more than diagonal disorder is obtained.
研究处在非均匀磁场中的一维介观环持续电流受无序的影响问题，得到非对角无序对持续电流有更大的衰减效
Based on the Anderson s disordered model, and considered the affection of non-diagonal disorder, we set up a new model of.
本文在Anderson无序模型的基础上，进一步考虑非对角无序影响，建立了一维无序体系无序模型，并研究了无序体系的电子局域态性质及费米能级分布，结果表明，非对角无序项的引入使体系的电子局域化程度加强、费米能级降低；结合Mott的电子变程跳跃电导理论和Miller、Abrahams随机电阻模型，同时考虑外场、格点原子热运动对电子跳跃的影响，建立了一维无序体系电子跳跃输运的直流、交流电导模型，并推导了一维无序体系的直流、交流电导公式；通过大量的数值计算，系统地分析了无序体系的直流、交流电导特性，并从无序的不同模式出发，在分析温度、外场对电子输运影响的同时，着重分析了无序在体系电子输运中的本质作用。
The effects of non-diagonal disorder and dimensions in low-dimensional disordered electronic system;
非对角无序和维数效应对低维无序系统电子结构的影响
Based on the Anderson s disordered model, and considered the affection of non-diagonal disorder, we set up a new model of.
本文在Anderson无序模型的基础上，进一步考虑非对角无序影响，建立了一维无序体系无序模型，并研究了无序体系的电子局域态性质及费米能级分布，结果表明，非对角无序项的引入使体系的电子局域化程度加强、费米能级降低；结合Mott的电子变程跳跃电导理论和Miller、Abrahams随机电阻模型，同时考虑外场、格点原子热运动对电子跳跃的影响，建立了一维无序体系电子跳跃输运的直流、交流电导模型，并推导了一维无序体系的直流、交流电导公式；通过大量的数值计算，系统地分析了无序体系的直流、交流电导特性，并从无序的不同模式出发，在分析温度、外场对电子输运影响的同时，着重分析了无序在体系电子输运中的本质作用。
The results show that the Fermi-energy decreases with increasing the degree of disorder,and the off-diagonal disorder has great effect on the Fermi-.
结果表明:无序体系的费米能随无序度的增大而减小,并且非对角无序对体系费米能的影响很大,考虑非对角无序时,体系的费米能大大降低;温度对体系费米能的影响表现为,随温度的升高,体系的费米能相应增大,且在低温区费米能随着温度的升高而增大比较缓慢,而在高温区费米能随着温度的升高而增大较快。