Intrinsic parameters are extracted from functions of MESFETs intrinsic elements by using extrinsic parameters as independent variables.
采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 。
metal semiconductor barrier
金属 半导体接触势垒
schottky barrier mos
肖特基势垒栅金属氧化物半导体
When a metal is brought into contact with an n-type semiconductor, electrons will flew from the semi-conductor to the metal.
使一块金属与n型半导体接触时，电子将从半导体流到金属。
metal semiconductor meta
金属 半导体 金属结构
Electrons from the metal will have to surmount the potential barrier to enter the semiconductor.
金属中的电子必须克服这个势垒层才能进入半导体。
metal insulater-semiconductor
金属—绝缘体—半导体
metal-semiconductor capacitor
金属-半导体电容器
buried channel mos
埋沟金属氧化物半导体
vertical metal oxide semiconductor
垂直金属氧化物半导体
floating gate mos
浮栅金属氧化物半导体
metal-oxide-semiconductor device
金属－氧化物－半导体器件
metal oxide semiconductor
金属 氧化物 半导体
alumina semiconductor memory
金属铝半导体存储器
MAOS (Metal-Alumina-Oxide-Silicon- Semiconductor)
金属氧化铝硅半导体
metal nitride semiconductor
金属 氮化物 半导体
combined metal oxide semiconductor
复合金属氧化物半导体
intermetallic compound semiconductor
金属间化合物半导体
CMOS - Complementary Metal Oxide Semiconductor
补充金属氧化物半导体