产品应贮存在阴凉、通风、干燥、清洁、无化学药品腐蚀气氛的库房内。
Hg1－xCdxTe晶体是HgTe-CdTe赝二元系化合物半导体合金材料，是一种直接跃迁型半导体，具有本征载流子浓度低、电子迁移率高、电子与空穴迁移率比大、光吸收系数大、热激发速率小、电子有效质量小、热膨胀系数与硅接近等特点。其导电类型可由本身组分的偏离来调节，也可用掺杂的办法来控制。其禁带宽度犈ｇ是组分狓和温度犜的函数，通过调节狓和犜可使犈g从半金属HgTe(Eg＝－0.3eV）至半导体CdTe（Eg＝1.648eV）之间连续变化，从而使其覆盖波长为1～25μｍ的整个红外区域。Hg1－xCdxTe的静电介电常数为14～17，高频介电常数为10～12.5，且随组分不同而有所差异。
产品应贮存在阴凉、通风、干燥、清洁、无化学药品腐蚀气氛的库房内。
Hg1－xCdxTe晶体是HgTe-CdTe赝二元系化合物半导体合金材料，是一种直接跃迁型半导体，具有本征载流子浓度低、电子迁移率高、电子与空穴迁移率比大、光吸收系数大、热激发速率小、电子有效质量小、热膨胀系数与硅接近等特点。其导电类型可由本身组分的偏离来调节，也可用掺杂的办法来控制。其禁带宽度犈ｇ是组分狓和温度犜的函数，通过调节狓和犜可使犈g从半金属HgTe(Eg＝－0.3eV）至半导体CdTe（Eg＝1.648eV）之间连续变化，从而使其覆盖波长为1～25μｍ的整个红外区域。Hg1－xCdxTe的静电介电常数为14～17，高频介电常数为10～12.5，且随组分不同而有所差异。